【小结】在这项工作中，京消作者研究了基于液相SIMS表征技术下SEI的形成机理。

费电峰这些实时的纳米级观测能为将来电池设计更好的SEI提供帮助。朱梓华研究员简介朱梓华，论坛1997年和2000年于北京大学化学与分子工程学院分别获学士和硕士学位。

图三、京消二次离子3D分布图（a-c）从原始液相SIMS数据重新绘制的离子分布图。【图文导读】图一、费电峰固-液界面原位液相SIMS分析示意图（a）使用薄氮化硅（Si3N4）膜将液体与高真空隔开。研究方向为二次离子质谱及其在生物、论坛环境和材料分析领域的应用，是世界著名二次离子质谱专家。

京消进一步通过MD模拟可视化技术探索了该双电层的详细分子级结构。原则上，费电峰同样的策略也可以用来研究正极-电解质界面层。

（c）在0V时，论坛在电极/电解质界面上形成内部SEI层，在多孔Cu电极的两面均有。

京消这种理解SEI中的化学深度分布将有助于设计更好的电池的界面层。值得一提的是，费电峰Fe82B18合金具有较低的熔点（~1174ºC），费电峰该合金不仅可以持续提供B源，还可以催化N2裂解形成N原子，促进合金体系中B原子与N原子化合形成B-N对并溶解至液态合金中，通过液态合金中存在的大量空位所构成的扩散通道扩散至液态Fe82B18合金/固态sapphire衬底界面形成h-BN，进一步利用sapphire与h-BN取向关系促进多层h-BN外延生长（图1d）。

主要从事研究低维碳基系统物理研究，论坛采用电学和光学探测手段在极端物理条件下（极低温度，超强磁场）来研究其介观物理输运性质。在Nat.Mater.,Nat.Commun.,Adv.Sci.,Nano.Lett.,ACSNano等学术期刊上发表高水平论文多篇，京消引用5000余次，h因子为26。

原位APXPS等系列表征分析了B-N形成和生长过程，费电峰进一步提出了溶解-扩散-外延生长新机制。通过测量不同厚度多层h-BN的力-位移曲线，论坛CVD法所得多层h-BN的杨氏模量约为1.04±0.1TPa，接近理论计算数值（图2c）。